【48812】昭和电工决议发动6英寸碳化硅单晶片的量产

时间: 2024-07-09 06:30:30 |   作者: 软启动器

  据昭和电工官网音讯，公司已开端大规模出产直径为6英寸（150毫米）的碳化硅单晶片，用作SiC外延晶片的衬底资料，以加工并安装到SiC基功率半导体（SiC功率半导体）中。

  碳化硅是第三代化合物半导体的典型代表，具有耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，大范围的应用于电力电子与射频等下流。碳化硅资料比较硅基资料具有宽禁带、电子饱满漂移速率高、热导系数高和熔点高级优势，可有用打破传统硅基半导体器材及其资料的物理极限，作为衬底开宣告更习惯高温、高压、高频率和大功率等条件的半导体器材，大范围的应用于新能源车、光伏及射频范畴。半导体器材不能直接制造在碳化硅衬底上，需求先在衬底上成长氮化镓或碳化硅外延层，得到外延片，再在外延片上制造适用于射频或电子电力范畴的器材。

  昭和电工作为SiC外延片的独立供货商，一向为功率器材制造商供给一流的SiC外延片，在全球商场占有率较高。昭和电工从2012年至2019年，先后6次扩展碳化硅外延片产能。2012年9月，昭和电工将4英寸碳化硅外延片的产能提高了2.5倍，到达每月1500片，并宣告将加速6英寸碳化硅外延片的开发。2016年6月，昭和电工持续扩展碳化硅外延片产能，并开端批量出产HGE（High Grade Epitaxy），月产3000片。2017年9月和2018年1月，昭和电工又进行了两次扩产。2018年7月，昭和电工逐渐扩展其产能，将HGE产能从每月5000片增加到每月7000片。2019年2月，昭和电工又将碳化硅外延片产能增加到每月9000片。上一年9月，昭和电工宣告与ROHM签订了功率半导体用SiC外延片的多年长时间供给合同。

  在衬底方面，昭和电工一向在考虑自主出产SiC单晶片。2010年至2015年，作为“未来电力电子研制技能合作伙伴关系”的成员，昭和电工参加了由经济产业部和新能源与工业技能发展安排（NEDO）主办和托付的“新式半导体电力电子项目完结低碳排放”。此外，2018年，昭和电工接管了新日铁住友金属集团（当时的新日铁集团）的SiC晶圆相关财物，并从那时起一向在开发大规模出产SiC晶圆的技能。

  这一次，昭和电工决议发动6英寸SiC晶片的内部批量出产。据其称，现在多家客户采用了由他们内部出产的6英寸SiC晶片制成的SiC外延晶片。另一方面，昭和电工将持续从其合作伙伴处购买SiC晶片，以应对电力半导体对SiC外延晶片的快速增长需求。因而，昭和电工将使SiC晶片的来历多样化，从而为SiC外延晶片树立安稳的供给链。

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